參數(shù)資料
型號(hào)： STB36NF06L
英文描述： FUSE,1.5A,RESETTABLE,SMDC150
中文描述： N溝道60V的- 0.032歐姆- 30A條D2PAK/TO-220 STRIPFET二功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 205K
代理商： STB36NF06L
STB36NF06L STP36NF06L
2/8
THERMAL DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
CASE
= 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
ON
(*
)
DYNAMIC
Rthj-case
Rthj-amb
T
l
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
(1.6 mm from case, for 10 sec)
Max
Max
2.14
62.5
300
°C/W
°C/W
°C
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
60
V
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating T
C
= 125°C
1
10
μA
μA
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
V
GS
= ± 18V
±100
nA
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
I
D
= 250 μA
1
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
V
GS
= 10 V
V
GS
= 5 V
I
D
= 15 A
I
D
= 15 A
0.032
0.040
0.048
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs (*)
Forward Transconductance
V
DS
=
25 V
I
D
= 15 A
20
S
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
= 25V f = 1 MHz V
GS
= 0
660
180
70
pF
pF
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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STP3N50XI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 1.7A I(D) | SOT-186VAR
STP3N60FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | TO-220VAR
STP3N60XI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2.4A I(D) | SOT-186VAR
STP3N80XI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 1.7A I(D) | SOT-186VAR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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STB36NM60N 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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STB37N60DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 28A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:28A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:110 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:54nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2400pF @ 100V 功率 - 最大值:210W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STB38N65M5 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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