參數(shù)資料
型號： STB40NF10LT4
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五（巴西）直| 40A條（?。﹟對263AB
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大小： 158K
代理商： STB40NF10LT4
STB40NF10L
2/9
THERMAL DATA
Rthj-case
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TCASE = 25
°
C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
ON (1)
Symbol
V
GS(th)
R
DS(on)
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(1)
C
iss
C
oss
Thermal Resistance Junction-case Max
1
°
C/W
°
C/W
°
C
Rthj-amb
Thermal Resistance Junction-ambient Max
62.5
T
l
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
300
Test Conditions
I
D
= 250
μ
A, V
GS
= 0
Min.
100
Typ.
Max.
Unit
V
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125
°
C
V
GS
=
±
15V
1
μ
A
μ
A
nA
10
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
±
100
Parameter
Test Conditions
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 10V, I
D
= 20 A
V
GS
= 5V,I
D
= 20 A
Min.
Typ.
Max.
Unit
Gate Threshold Voltage
1
1.7
2.5
V
Static Drain-source On
Resistance
0.028
0.033
0.030
0.036
Parameter
Test Conditions
V
DS
=15V
,
I
D
= 20 A
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
Min.
Typ.
25
Max.
Unit
S
Forward Transconductance
Input Capacitance
2300
pF
Output Capacitance
290
pF
C
rss
Reverse Transfer
Capacitance
125
pF
相關PDF資料
PDF描述
STB40NF10T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB
STB40NE03L20 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB
STB40NE03L-20T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB
STB40NF03LT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB
STB40NF10 N - CHANNEL 100V - 0.030W - 40ohm TO-263 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STB40NF10T4 功能描述:MOSFET N-Ch 100 Volt 50 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB40NF20 功能描述:MOSFET Low charge STripFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB40NS15 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 150V - 0.042ohm - 40A D2PAK MESH OVERLAY⑩ MOSFET
STB40NS15T4 功能描述:MOSFET N-Ch 150 Volt 40 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB42N60M2-EP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 34A EP D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:34A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:87 毫歐 @ 17A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:55nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2370pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*