參數(shù)資料
型號(hào): STB40NF10LT4
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五(巴西)直| 40A條(?。﹟對(duì)263AB
文件頁(yè)數(shù): 6/9頁(yè)
文件大?。?/td> 158K
代理商: STB40NF10LT4
STB40NF10L
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Fig. 5:
Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Recovery Times
Fig. 4:
Gate Charge test Circuit
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveform
Fig. 1:
Unclamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 3:
Switching Times Test Circuit For
Resistive Load
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB40NF10T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB
STB40NE03L20 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB
STB40NE03L-20T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB
STB40NF03LT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB
STB40NF10 N - CHANNEL 100V - 0.030W - 40ohm TO-263 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB40NF10T4 功能描述:MOSFET N-Ch 100 Volt 50 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB40NF20 功能描述:MOSFET Low charge STripFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB40NS15 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 150V - 0.042ohm - 40A D2PAK MESH OVERLAY⑩ MOSFET
STB40NS15T4 功能描述:MOSFET N-Ch 150 Volt 40 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB42N60M2-EP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 34A EP D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):34A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):87 毫歐 @ 17A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):55nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2370pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1