參數(shù)資料
型號(hào)： STB45NF06LT4
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 38A I(D) | TO-263AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 38A條（?。﹟對(duì)263AB
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大?。?/td> 155K
代理商： STB45NF06LT4
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STB45NF06L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
t
d(on)
Turn-on Delay Time
SWITCHING OFF
Symbol
t
d(off)
t
f
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
I
SD
Note: 1. Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by safe operating area.
Test Conditions
V
DD
= 30V, I
D
= 19A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 3)
Min.
Typ.
30
Max.
Unit
ns
t
r
Rise Time
105
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
= 48V, I
D
= 38A,
V
GS
= 5V
23
7
10
31
nC
nC
nC
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 30V, I
D
= 19A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 3)
Min.
Typ.
65
25
Max.
Unit
ns
ns
Turn-off-Delay Time
Fall Time
t
d(off)
Off-voltage Rise Time
Vclamp =48V,I
D
=38A
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10V
50
ns
t
f
Fall Time
(see test circuit, Figure 5)
55
ns
t
c
Cross-over Time
85
ns
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
38
Unit
A
Source-drain Current
I
SDM
(1)
Source-drain Current (pulsed)
152
A
V
SD
(2)
Forward On Voltage
I
SD
= 38A, V
GS
= 0
I
SD
= 38A, di/dt = 100A/
μ
s,
V
DD
= 100V, T
j
= 150
°
C
(see test circuit, Figure 5)
1.5
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
70
110
4
ns
nC
A
Thermal Impedence
Safe Operating Area
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB45NF3LLT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-263AB
STB45NF06 N-CHANNEL 60V - 0.022ohm - 38A D2PAK STripFET⑩ POWER MOSFET
STB4NB50-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3.8A I(D) | TO-262AA
STB4NB50T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3.8A I(D) | TO-263AB
STB4NB80-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-262AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB45NF06T4 功能描述:MOSFET N-Ch, 60V-0.022ohms 38A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB45NF3LL 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 30V - 0.014ohm - 45A TO-220 - TO220FP - D2PAK STripFET II⑩ POWER MOSFET
STB45NF3LLT4 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 27 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB46N30M5 功能描述:MOSFET N-CH 300V 53A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:300V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:53A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:40 毫歐 @ 26.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:95nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4240pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STB4GA14 制造商:n/a 功能描述:Ships in 2 days
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