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參數(shù)資料
| 型號： | STB45NF3LLT4 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直| 45A條（?。﹟對263AB |
| 文件頁數(shù)： | 1/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 155K |
| 代理商： | STB45NF3LLT4 |
1/9
October 2001
STB45NF06L
N-CHANNEL 60V - 0.022
- 38A D
2
PAK
STripFET
II POWER MOSFET
(1) I
SD
≤
38A, di/dt
≤
300A/
μ
s, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, T
j
≤
T
JMAX.
I
TYPICAL R
DS
(on) = 0.022
I
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY
I
LOGIC LEVEL GATE DRIVE
DESCRIPTION
This Power Mosfet is the latest development of
STMicroelectronics
unique
Size
”
strip-based process. The resulting tran-
sistor shows extremely high packing density for
low on-resistance, rugged avalance characteris-
tics andless critical alignment stepstherefore a re-
markable manufacturing reproducibility.
“Single
Feature
APPLICATIONS
I
HIGH-EFFICIENCY DC-DC CONVERTERS
I
SOLENOID AND RELAY DRIVERS
I
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS
I
DC-DC & DC-AC CONVERTERS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
(
G
) Pulse width limited by safe operating area
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
STB45NF06L
60V
<0.028
38A
Parameter
Value
Unit
60
V
V
DGR
60
V
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
G
)
P
TOT
Gate- source Voltage
Drain Current (continuos) at T
C
= 25
°
C
Drain Current (continuos) at T
C
= 100
°
C
±
16
V
38
A
26
A
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
C
= 25
°
C
Derating Factor
152
A
80
W
0.53
W/
°
C
V/ns
dv/dt (1)
Peak Diode Recovery voltage slope
7
T
stg
T
j
Storage Temperature
–55 to 175
°
C
Max. Operating Junction Temperature
D
2
PAK
1
3
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STB45NF06 | N-CHANNEL 60V - 0.022ohm - 38A D2PAK STripFET⑩ POWER MOSFET |
| STB4NB50-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3.8A I(D) | TO-262AA |
| STB4NB50T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3.8A I(D) | TO-263AB |
| STB4NB80-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-262AA |
| STB4NB80T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-263AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STB46N30M5 | 功能描述:MOSFET N-CH 300V 53A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:300V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:53A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:40 毫歐 @ 26.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:95nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4240pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| STB4GA14 | 制造商:n/a 功能描述:Ships in 2 days |
| STB4N62K3 | 功能描述:MOSFET N-Ch 620V 1.8 ohm 3.8 A SuperMESH3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STB4N80ET4 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| STB4NB50 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 3.8A - D2PAK/I2PAK PowerMESHO MOSFET |
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