參數(shù)資料
型號(hào)： STB45NF3LLT4
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-263AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直| 45A條（?。﹟對(duì)263AB
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
文件大小： 155K
代理商： STB45NF3LLT4
STB45NF06L
2/9
THERMAL DATA
Rthj-case
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
E
AS
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
°
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TCASE = 25
°
C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
ON (1)
Symbol
V
GS(th)
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(1)
C
iss
C
oss
Thermal Resistance Junction-case Max
1.87
°
C/W
°
C/W
°
C
Rthj-amb
Thermal Resistance Junction-ambient Max
62.5
T
l
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
300
Parameter
Max Value
38
Unit
A
135
mJ
Test Conditions
I
D
= 250
μ
A, V
GS
= 0
Min.
60
Typ.
Max.
Unit
V
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125
°
C
V
GS
=
±
16V
1
μ
A
μ
A
nA
10
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
±
100
Parameter
Test Conditions
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 5 V,I
D
= 19 A
V
GS
= 10V, I
D
= 19 A
Min.
Typ.
Max.
Unit
Gate Threshold Voltage
1
1.7
2.5
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
0.024
0.03
0.022
0.028
Parameter
Test Conditions
V
DS
=15V
,
I
D
=19 A
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
Min.
Typ.
24
Max.
Unit
S
Forward Transconductance
Input Capacitance
1600
pF
Output Capacitance
217
pF
C
rss
Reverse Transfer
Capacitance
62
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB45NF06 N-CHANNEL 60V - 0.022ohm - 38A D2PAK STripFET⑩ POWER MOSFET
STB4NB50-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3.8A I(D) | TO-262AA
STB4NB50T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3.8A I(D) | TO-263AB
STB4NB80-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-262AA
STB4NB80T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB46N30M5 功能描述:MOSFET N-CH 300V 53A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:300V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:53A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:40 毫歐 @ 26.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:95nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4240pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STB4GA14 制造商:n/a 功能描述:Ships in 2 days
STB4N62K3 功能描述:MOSFET N-Ch 620V 1.8 ohm 3.8 A SuperMESH3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB4N80ET4 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
STB4NB50 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 3.8A - D2PAK/I2PAK PowerMESHO MOSFET
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