參數資料
型號： STB55NF06T4
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-263AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 50A條（丁）|對263AB
文件頁數： 6/10頁
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代理商： STB55NF06T4
STB55NF06-1 STP55NF06 STP55NF06FP
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Fig. 1:
Unclamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveform
Fig. 3:
Switching TimesTest Circuits ForResistive
Load
Fig. 4:
Gate Charge test Circuit
Fig. 5:
Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Recovery Times
相關PDF資料
PDF描述
STB55NF03LT4 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
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STB55NF06-1 N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220FP/I PAK/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
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參數描述
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STB5600TR 功能描述:射頻無線雜項 GPS Front-End RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel
STB5610 功能描述:射頻無線雜項 GPS Front-End RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel
STB5610TR 功能描述:射頻無線雜項 GPS RF Front End RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel
STB5701 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:350 to 400 MHz FSK/ASK receiver (ST-RECORD01 family)
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