參數資料
型號： STB60NF10T4
廠商： 意法半導體
英文描述： N-CHANNEL 100V - 0.019ohm - 80A D2PAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET
中文描述： N溝道100V的- 0.019ohm - 80A條D2PAK/TO-220 STripFET二功率MOSFET
文件頁數： 5/9頁
文件大小： 143K
代理商： STB60NF10T4
5/9
STB60NE06-16
Normalized Gate Threshold Voltage vs Temperature
Normalized on Resistance vs Temperature
Source-drain Diode Forward Characteristics
Normalized Breakdown Voltage Temperature
.
.
相關PDF資料
PDF描述
STB6LNC60T4 TVS Diode; Leaded Process Compatible:Yes
STB6NA60-1 82V, 1.5KW TRANZORB, 1.5 KE82A, IN6293A
STB6NA60T4 Resettable Fuse; Operating Voltage Max:30VDC; Resistance:2.9ohm; Holding Current:0.2A; Tripping Current:0.4A; Fuse Terminals:SMT Caps; Initial Resistance Min:0.8ohm; Interrupting Current Max:100A; Leaded Process Compatible:Yes
STB6NA80-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 5.7A I(D) | TO-262VAR
STB6NA80T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 5.7A I(D) | TO-263AB
相關代理商/技術參數
參數描述
STB60NH02L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 24V - 0.0085 ohm - 60A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET
STB60NH02L_04 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 24V - 0.0085 ohm - 60A D2PAK STripFET TM III POWER MOSFET
STB60NH02LT4 功能描述:MOSFET N-Ch 24 Volt 60 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB60NS04ZT4 功能描述:MOSFET N-Ch Clamped 60 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB6100 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TUNERS SATELLITE 2.15GMHZ 32QFN - Trays 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Tuners Satellite 2.15GMHz 32-Pin QFN Tray
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯系方式

*
*
*