參數(shù)資料
型號(hào): STB6LNC60
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: N-CHANNEL 600V - 1ohm - 5.8A D2PAK PowerMesh⑩II MOSFET
中文描述: N溝道600V的- 1ohm - 5.8A D2PAK封裝MOSFET的第二PowerMesh⑩
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代理商: STB6LNC60
STB6LNC60
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THERMAL DATA
Rthj-case
Rthj-amb
T
l
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
E
AS
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25 °C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TCASE
= 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125 °C
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
ON
(1)
Symbol
V
GS(th)
R
DS(on)
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(1)
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
1.25
62.5
°C/W
°C/W
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
300
°C
Parameter
Max Value
5.8
Unit
A
300
mJ
Test Conditions
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
Min.
600
Typ.
Max.
Unit
V
V
DS
= Max Rating
1
μA
50
μA
V
GS
= ±30V
±100
nA
Parameter
Test Conditions
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V, I
D
= 3 A
Min.
Typ.
Max.
Unit
Gate Threshold Voltage
2
3
4
V
Static Drain-source On
Resistance
1.0
1.25
Parameter
Test Conditions
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max,
I
D
= 3A
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
Min.
Typ.
6
Max.
Unit
S
Forward Transconductance
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
830
pF
Output Capacitance
120
pF
Reverse Transfer
Capacitance
15.5
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB6NB90 N - CHANNEL 900V - 1.7OHM - 5.8A - D2PAK PowerMESHO MOSFET
STB95NF03 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
STBR406 50-60Hz RECTIFICATION BRIDGE
STBR408 50-60Hz RECTIFICATION BRIDGE
STBV32 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB6LNC60T4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5.8A I(D) | TO-263AB
STB6N52K3 功能描述:MOSFET N-Ch 525V 1 Ohm 5A SuperMESH3 Zener RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB6N60M2 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Tape and Reel 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 600V D2PAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:STB6N60M2 Series 600 V 4.5 A 1.2 Ohm N-channel Power MOSFET - TO-263-3 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-Channel 600V 4.5A D2PAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V,1.06Ohm,4.5A Power MOSFET 制造商:STMicroelectronics 功能描述:600V,1.06,4.5A,N-Channel Power MOSFET
STB6N62K3 功能描述:MOSFET N-Channel Power Mosfet D2PAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB6N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 4A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):4A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.35 歐姆 @ 2A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):9.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):226pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1