參數(shù)資料
型號(hào)： STBV32
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
中文描述： 高壓快速開關(guān)NPN電源晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/7頁(yè)
文件大小： 67K
代理商： STBV32
STBV32
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING
NPN POWER TRANSISTOR
I
ST13003SILICON IN TO-92 PACKAGE
I
MEDIUM VOLTAGE CAPABILITY
I
LOW SPREADOF DYNAMIC PARAMETERS
I
MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR
RELIABLEOPERATION
I
VERYHIGH SWITCHING SPEED
APPLICATIONS:
I
ELECTRONICBALLASTSFOR
FLUORESCENT LIGHTING
DESCRIPTION
The device is manufactured using high voltage
Multi
Epitaxial
Planar
switching speeds and medium voltagecapability.
It uses a Cellular Emitter structure with planar
edge termination to enhance switching speeds
while maintainingthe wide RBSOA.
The STBV32 is designed for use in compact
fluorescentlamp application.
technology
for
high
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
February 2000
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CES
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
Parameter
Value
700
400
9
1.5
3
0.75
1.5
1.1
-65 to 150
150
Unit
V
V
V
A
A
A
A
W
o
C
o
C
Collector-Emitter Voltage (V
BE
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current (t
p
< 5 ms)
Base Current
Base Peak Current (t
p
< 5 ms)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
TO-92
1/7
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STBV42 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
STBV68 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
STD25NF10L N-CHANNEL 100V - 0.030 ohm - 25A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET
STD40NF06LZ N-CHANNEL 60V - 0.020 ohm - 40A DPAK Zener-Protected STripFET⑩ II POWER MOSFET
STD40NF3LL N-CHANNEL 30V - 0.0095 ohm - 40A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
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參數(shù)描述
STBV32_05 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
STBV32-AP 功能描述:TRANS NPN 400V 1.5A TO-92 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
STBV32G 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 H/V FST SWCH PW TRNS NPN RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
STBV32G-AP 功能描述:兩極晶體管 - BJT H/V FST SWCH PW TRNS NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
STBV42 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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