參數(shù)資料
型號： STB6LNC60T4
英文描述： TVS Diode; Leaded Process Compatible:Yes
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 600V的五（巴西）直| 5.8AI（四）|對263AB
文件頁數(shù)： 3/9頁
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代理商： STB6LNC60T4
3/9
STB6LNC60
Thermal Impedence
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
SWITCHING ON
Symbol
t
d(on)
SWITCHING OFF
Symbol
t
r(Voff)
t
f
t
c
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
Note: 1. Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by safe operating area.
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 300 V, I
D
= 3 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
(see test circuit, Figure 3)
Min.
Typ.
Max.
Unit
Turn-on Delay Time
14.5
ns
t
r
Rise Time
15.5
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
V
DD
= 480V, I
D
= 6 A,
V
GS
= 10V
28
39
nC
Gate-Source Charge
4.8
nC
Gate-Drain Charge
17.5
nC
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 480V, I
D
= 6 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 5)
Min.
Typ.
Max.
Unit
Off-voltage Rise Time
9
ns
Fall Time
7.5
ns
Cross-over Time
16
ns
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Source-drain Current
5.8
A
Source-drain Current (pulsed)
23.2
A
Forward On Voltage
I
SD
= 6 A, V
GS
= 0
I
SD
=6 A, di/dt = 100A/
μ
s
V
DD
= 100V, T
j
= 150
°
C
(see test circuit, Figure 5)
1.6
V
Reverse Recovery Time
450
ns
Reverse Recovery Charge
2.4
μ
C
Reverse Recovery Current
10.6
A
Safe OperatingArea
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB6NA60-1 82V, 1.5KW TRANZORB, 1.5 KE82A, IN6293A
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參數(shù)描述
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