參數(shù)資料
型號： STB6LNC60T4
英文描述： TVS Diode; Leaded Process Compatible:Yes
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 600V的五（巴西）直| 5.8AI（四）|對263AB
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 155K
代理商： STB6LNC60T4
STB6LNC60
6/9
Fig. 5:
Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Recovery Times
Fig. 4:
Gate Charge test Circuit
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveform
Fig. 1:
Unclamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 3:
Switching Times Test Circuit For
Resistive Load
相關PDF資料
PDF描述
STB6NA60-1 82V, 1.5KW TRANZORB, 1.5 KE82A, IN6293A
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STB6NA80-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 5.7A I(D) | TO-262VAR
STB6NA80T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 5.7A I(D) | TO-263AB
STB6NC60T4 Resettable Fuse; Operating Voltage Max:6V; Holding Current:1.5uA; Tripping Current:3uA; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Steady State Current Max:40A; Voltage Rating:6V
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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