參數(shù)資料
型號： STB80NF10
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
中文描述： N溝道100V的- 0.012ohm - 80A條采用D2PAK低柵極電荷STripFET⑩功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大小： 339K
代理商： STB80NF10
STP80NF55L-08 - STB80NF55L-08 - STB80NF55L-08-1
2/9
THERMAL DATA
Rthj-case
Rthj-amb
T
l
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
CASE
= 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125 °C
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
ON (1)
Symbol
V
GS(th)
R
DS(on)
DYNAMIC
Symbol
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
0.5
62.5
°C/W
°C/W
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
300
°C
Min.
55
Typ.
Max.
Unit
V
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
V
DS
= Max Rating
1
μA
10
μA
V
GS
= ± 16V
±100
nA
Parameter
Test Conditions
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10 V, I
D
= 40 A
V
GS
= 5 V, I
D
= 40 A
Min.
Typ.
Max.
Unit
Gate Threshold Voltage
1
1.6
2.5
V
Static Drain-source On
Resistance
0.0065
0.008
0.008
0.01
Parameter
Test Conditions
V
DS
=15V
,
I
D
=40 A
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
C
iss
C
oss
C
rss
Forward Transconductance
150
S
Input Capacitance
4350
pF
Output Capacitance
800
pF
Reverse Transfer
Capacitance
260
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB80NF12 N-CHANNEL 120V-0.013ohm-80A TO-220/TO-247/TO-220FP/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
STB80PF55 P-CHANNEL 55V - 0.016 ohm - 80A D2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
STB80NF10T4 N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
STB85NF3LLT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 85A I(D) | TO-263AB
STB85NF55LT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB80NF10_09 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 100 V, 0.012 Ω, 80 A, TO-220, D2PAK low gate charge STripFET? II Power MOSFET
STB80NF10T4 功能描述:MOSFET N-Ch 100 Volt 80 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB80NF10-T4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB
STB80NF10T4 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET
STB80NF12 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 120V-0.013ohm-80A TO-220/TO-247/TO-220FP/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
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