參數(shù)資料
型號： STB80NF10
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
中文描述： N溝道100V的- 0.012ohm - 80A條采用D2PAK低柵極電荷STripFET⑩功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大小： 339K
代理商： STB80NF10
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STP80NF55L-08 - STB80NF55L-08 - STB80NF55L-08-1
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
t
d(on)
Turn-on Delay Time
SWITCHING OFF
Symbol
t
d(off)
t
f
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
Note: 1. Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by safe operating area.
Test Conditions
V
DD
= 27V, I
D
= 40A
R
G
= 4.7
V
GS
= 4.5V
(see test circuit, Figure 3)
V
DD
= 27.5 V, I
D
= 80A,
V
GS
= 4.5V
Min.
Typ.
Max.
Unit
35
ns
t
r
Rise Time
145
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
75
20
30
100
nC
nC
nC
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 27V, I
D
= 40A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 4.5V
(see test circuit, Figure 3)
Min.
Typ.
85
65
Max.
Unit
ns
ns
Turn-off-Delay Time
Fall Time
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Source-drain Current
80
A
Source-drain Current (pulsed)
320
A
Forward On Voltage
I
SD
= 80A, V
GS
= 0
1.5
V
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
I
SD
= 80A, di/dt = 100A/μs,
V
DD
= 20V, T
j
= 150°C
(see test circuit, Figure 5)
85
280
6.5
ns
nC
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB80NF12 N-CHANNEL 120V-0.013ohm-80A TO-220/TO-247/TO-220FP/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
STB80PF55 P-CHANNEL 55V - 0.016 ohm - 80A D2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
STB80NF10T4 N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
STB85NF3LLT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 85A I(D) | TO-263AB
STB85NF55LT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB80NF10_09 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 100 V, 0.012 Ω, 80 A, TO-220, D2PAK low gate charge STripFET? II Power MOSFET
STB80NF10T4 功能描述:MOSFET N-Ch 100 Volt 80 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB80NF10-T4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB
STB80NF10T4 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET
STB80NF12 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 120V-0.013ohm-80A TO-220/TO-247/TO-220FP/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
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