參數(shù)資料
型號： STB80NF55L06T4
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 55V的五（巴西）直| 80A條（丁）|對263AB
文件頁數(shù)： 4/9頁
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代理商： STB80NF55L06T4
STP80NF55L-08 - STB80NF55L-08 - STB80NF55L-08-1
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Fig. 5:
Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Recovery Times
Fig. 4:
Gate Charge test Circuit
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveform
Fig. 1:
Unclamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 3:
Switching Times Test Circuit For
Resistive Load
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB80NE03L06T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AA
STB80NF10-T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB
STB80NF10 N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
STB80NF12 N-CHANNEL 120V-0.013ohm-80A TO-220/TO-247/TO-220FP/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
STB80PF55 P-CHANNEL 55V - 0.016 ohm - 80A D2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB80NF55L-06T4 功能描述:MOSFET N-Ch, 55V-0.005ohms 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB80NF55L-08 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 55V - 0.0065ohm - 80A - TO-220/D2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
STB80NF55L-08-1 功能描述:MOSFET N-Ch, 55V-0.0065ohms 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB80NF55L-08T4 功能描述:MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB80NF75L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 75V - 0.008 ohm - 80A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
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