參數(shù)資料
型號： STBV42
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
中文描述： 高壓快速開關(guān)NPN電源晶體管
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 133K
代理商： STBV42
STBV42
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING
NPN POWER TRANSISTOR
I
MEDIUM VOLTAGE CAPABILITY
I
LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS
I
MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR
RELIABLE OPERATION
I
VERY HIGH SWITCHING SPEED
APPLICATIONS:
I
ELECTRONIC BALLASTS FOR
FLUORESCENT LIGHTING
DESCRIPTION
The device is manufactured using high voltage
Multi Epitaxial Planar technology for high
switching speeds and medium voltage capability.
It uses a Cellular Emitter structure with planar
edge termination to enhance switching speeds
while maintaining the wide RBSOA.
The STBV42 is designed for use in compact
fluorescent lamp application.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
September 2001
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CES
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
Parameter
Value
700
400
9
1
2
0.5
1
1
-65 to 150
150
Unit
V
V
V
A
A
A
A
W
o
C
o
C
Collector-Emitter Voltage (V
BE
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current (t
p
< 5 ms)
Base Current
Base Peak Current (t
p
< 5 ms)
Total Dissipation at T
amb
= 25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
TO-92
1/5
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PDF描述
STBV68 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
STD25NF10L N-CHANNEL 100V - 0.030 ohm - 25A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET
STD40NF06LZ N-CHANNEL 60V - 0.020 ohm - 40A DPAK Zener-Protected STripFET⑩ II POWER MOSFET
STD40NF3LL N-CHANNEL 30V - 0.0095 ohm - 40A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
STD45NF03L N - CHANNEL 30V - 0.011 ohm - 45A DPAK STripFET POWER MOSFET
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參數(shù)描述
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STBV42D 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 700V Vces 400Vceo 9Vebo 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
STBV42G 功能描述:兩極晶體管 - BJT H/V FST SWCH PW TRNS NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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