參數(shù)資料
型號： STD10NF10-1
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-251AA
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五（巴西）直|第13A條（?。﹟對251AA
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大小： 171K
代理商： STD10NF10-1
STD100NH02L
2/10
THERMAL DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
CASE
= 25
°
C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
ON
(*
)
DYNAMIC
Rthj-case
Rthj-amb
T
l
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Max
1.5
100
300
°
C/W
°
C/W
°
C
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
D
= 250
μ
A, V
GS
= 0
20
V
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating T
C
= 125
°
C
1
10
μ
A
μ
A
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
V
GS
=
±
20V
±
100
nA
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
1
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
0.0038
0.0048
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs(*)
Forward Transconductance
V
DS
= 10 V
I
D
= 30 A
50
S
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
= 15V f = 1 MHz V
GS
= 0
3940
1020
110
pF
pF
pF
R
G
Gate Input Resistance
f = 1 MHz Gate DC Bias = 0
Test Signal Level = 20 mV
Open Drain
1.1
相關PDF資料
PDF描述
STD10NF10T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-252AA
STD10PF06-1 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-251AA
STD10PF06T4 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-252AA
STD10PF06 P - CHANNEL 60V - 0.18 ohm - 10A TO-252 STripFET POWER MOSFET
STD10 Fuse
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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STD10NF10T4 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N CH 100V 13A DPAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET, N CH, 100V, 0.13OHM, 13A, TO-252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:13A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.13ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V ;RoHS Compliant: Yes
STD10NF10T4 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N CH 100V 13A DPAK
STD10NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500 V Pwr 7A Mdmesh II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD10NM60N 功能描述:MOSFET N-channel 600 V Mdmesh 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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