參數(shù)資料
型號(hào): STD12N05L
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: N-Channel Enhancement Mode Low Threshold Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式低閾值功率MOSFET)
中文描述: N溝道增強(qiáng)模式的低閾值功率MOS晶體管(不適用溝道增強(qiáng)模式低閾值功率MOSFET的)
文件頁(yè)數(shù): 9/10頁(yè)
文件大小: 175K
代理商: STD12N05L
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
2.2
2.4
0.086
0.094
A1
0.9
1.1
0.035
0.043
A2
0.03
0.23
0.001
0.009
B
0.64
0.9
0.025
0.035
B2
5.2
5.4
0.204
0.212
C
0.45
0.6
0.017
0.023
C2
0.48
0.6
0.019
0.023
D
6
6.2
0.236
0.244
E
6.4
6.6
0.252
0.260
G
4.4
4.6
0.173
0.181
H
9.35
10.1
0.368
0.397
L2
0.8
0.031
L4
0.6
1
0.023
0.039
A
C
C
H
A
A
=
=
D
L2
L4
1
3
=
=
B
E
=
=
B
G
2
DETAIL”A”
DETAIL”A”
TO-252 (DPAK) MECHANICAL DATA
0068772-B
STD12N05L/STD12N06L
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PDF描述
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STI728107D1-70VGR 8M X 72 EDO DRAM MODULE, 70 ns, DMA168
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD12N05L-1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-251
STD12N05LT4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-252
STD12N05T4 功能描述:MOSFET N-Ch 50 Volt 12 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD12N06 功能描述:MOSFET TO-251 N-CH 60V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD12N06-1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-251