參數(shù)資料
型號： STD40NF06LZ
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 60V - 0.020 ohm - 40A DPAK Zener-Protected STripFET⑩ II POWER MOSFET
中文描述： N溝道60V的- 0.020歐姆- 40A條的DPAK齊納二級保護STripFET⑩功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 296K
代理商： STD40NF06LZ
3/8
STD40NF06LZ
SWITCHING ON
SWITCHING OFF
SOURCE DRAIN DIODE
(*)
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %
(
)
Pulse width limited by safe operating area.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Delay Time
Rise Time
V
DD
= 30 V
R
G
= 4.7
(Resistive Load, Figure 3)
I
D
= 20 A
V
GS
= 4.5 V
17
75
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
=48 V I
D
=40 A V
GS
=10V
54
11
12
nC
nC
nC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(off)
t
f
Turn-off Delay Time
Fall Time
V
DD
= 30V
R
G
= 4.7
,
(Resistive Load, Figure 3)
I
D
= 20 A
V
GS
= 4.5 V
38
23
ns
ns
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current (pulsed)
40
160
A
A
V
SD
(*)
Forward On Voltage
I
SD
= 40A
V
GS
= 0
1.6
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
I
SD
= 40 A
V
DD
= 30 V
(see test circuit, Figure 5)
di/dt = 100A/μs
T
j
= 150°C
66
142
4.3
ns
nC
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
Safe Operating Area
Thermal Impedance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD40NF3LL N-CHANNEL 30V - 0.0095 ohm - 40A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
STD45NF03L N - CHANNEL 30V - 0.011 ohm - 45A DPAK STripFET POWER MOSFET
STD4NS25 N-CHANNEL 250V - 0.9ohm - 4A DPAK/IPAK MESH OVERLAY⑩ MOSFET
STD5NE10L N - CHANNEL 100V - 0.3 ohm - 5A - DPAK/IPAK STripFET POWER MOSFET
STD5NM50 N-CHANNEL 500V - 0.7ohm - 7.5A DPAK/IPAK MDmesh⑩Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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