參數(shù)資料
型號： STD5N20T4
英文描述： Cartridge Fuse; Current Rating:100mA; Voltage Rating:250V; Fuse Type:Fast Acting; Fuse Size/Group:5 x 20 mm; Body Material:Glass; Diameter:5.2mm; Fuse Terminals:Ferrule; Length:20mm; Series:235XE
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五（巴西）直| 5A條（?。﹟至252
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 87K
代理商： STD5N20T4
1/8
December 2000
STD5N20
N-CHANNEL 200V - 0.6
- 5A DPAK
MESH OVERLAY
MOSFET
I
TYPICAL R
DS
(on) = 0.6
I
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
I
100% AVALANCHE TESTED
I
ADD SUFFIX “T4” FOROREDERING IN TAPE &
REEL
DESCRIPTION
Using the latest high voltage MESH OVERLAY
process, STMicroelectronics has designed an ad-
vanced family of power MOSFETs with outstanding
performance. The new patented STrip layout cou-
pled with the Company’s proprietary edge termina-
tion structure, makes it suitable in coverters for
lighting applications.
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
I
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)
I
DC-DC CONVERTERS FOR TELECOM,
INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
(
)Pulse width limitedby safe operating area
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
STD5N20
200 V
< 0.8
5 A
Parameter
Value
200
Unit
V
V
DGR
200
V
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
l
)
P
TOT
Gate- source Voltage
Drain Current (continuous) at T
C
= 25
°
C
Drain Current (continuous) at T
C
= 100
°
C
±
20
V
5
A
3.5
A
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
C
= 25
°
C
Derating Factor
20
A
45
W
0.36
W/
°
C
V/ns
°
C
°
C
dv/dt (1)
Peak Diode Recovery voltage slope
5
T
stg
Storage Temperature
–65 to 150
T
j
Max. Operating Junction Temperature
150
(1)I
SD
≤
5A, di/dt
≤
300A/
μ
s, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, T
j
≤
T
JMAX.
(**) Limited only by Maximum Temperature Allowed
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
1
3
TO-252
DPAK
相關PDF資料
PDF描述
STD5NB20T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA
STD5NM50T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA
STD5NM60T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA
STD5NB30T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA
STD5NE10L1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-251AA
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STD5N52K3 功能描述:MOSFET N-CH 525 V 4.4 A SuperMESH3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD5N52U 功能描述:MOSFET N-channel 525 V 4.4 A DPAK TO-220F RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD5N60DM2 功能描述:N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:Digi-Reel? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.55 歐姆 @ 1.75A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:375pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1
STD5N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 1.7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:211pF @ 100V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1
STD5N62K3 功能描述:MOSFET N-Ch 620V 1.28 Ohm SuperMESH3 4.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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