參數(shù)資料
型號： STD5N20T4
英文描述： Cartridge Fuse; Current Rating:100mA; Voltage Rating:250V; Fuse Type:Fast Acting; Fuse Size/Group:5 x 20 mm; Body Material:Glass; Diameter:5.2mm; Fuse Terminals:Ferrule; Length:20mm; Series:235XE
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五（巴西）直| 5A條（?。﹟至252
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 87K
代理商： STD5N20T4
STD5N20
2/8
THERMAL DATA
Rthj-case
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
°
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
CASE
= 25
°
C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
ON (1)
Symbol
V
GS(th)
R
DS(on)
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(1)
Thermal Resistance Junction-case Max
2.77
°
C/W
°
C/W
°
C/W
°
C
Rthj-amb
Thermal Resistance Junction-ambient Max
100
Rthc-sink
Thermal Resistance Case-sink Typ
1.5
T
l
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
275
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
5
A
E
AS
130
mJ
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
D
= 250
μ
A, V
GS
= 0
200
V
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125
°
C
1
μ
A
μ
A
50
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
V
GS
=
±
20V
±
100
nA
Parameter
Test Conditions
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 10V, I
D
= 2.5 A
Min.
Typ.
Max.
Unit
Gate Threshold Voltage
2
3
4
V
Static Drain-source On
Resistance
0.7
0.8
I
D(on)
On State Drain Current
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max,
V
GS
= 10V
5
A
Parameter
Test Conditions
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max,
I
D
= 2.5A
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward Transconductance
1.5
4
S
C
iss
Input Capacitance
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
350
pF
C
oss
Output Capacitance
70
pF
C
rss
Reverse Transfer
Capacitance
35
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD5NB20T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA
STD5NM50T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA
STD5NM60T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA
STD5NB30T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA
STD5NE10L1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-251AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD5N52K3 功能描述:MOSFET N-CH 525 V 4.4 A SuperMESH3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD5N52U 功能描述:MOSFET N-channel 525 V 4.4 A DPAK TO-220F RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD5N60DM2 功能描述:N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:Digi-Reel? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.55 歐姆 @ 1.75A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:375pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STD5N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 1.7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:211pF @ 100V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STD5N62K3 功能描述:MOSFET N-Ch 620V 1.28 Ohm SuperMESH3 4.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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