參數(shù)資料
型號(hào)： STGW50NB60M
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 50A - 600V - TO-247 PowerMESH⑩ IGBT
中文描述： N溝道50A條- 600V的-對(duì)IGBT的247 PowerMESH⑩
文件頁(yè)數(shù)： 1/9頁(yè)
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代理商： STGW50NB60M
1/9
May 2003
STGW50NB60M
N-CHANNEL 50A - 600V
- TO-247
PowerMESH IGBT
(
G
) Pulse width limitedby safe operating area
I
HIGH INPUT IMPEDANCE (VOLTAGE DRIVEN)
I
LOW ON-VOLTAGE DROP (V
CESAT
)
I
LOW GATE CHARGE
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
DESCRIPTION
Using the latest high voltage technology based on a
patented strip layout, STMicroelectronics has de-
signed an advanced family of IGBTs, the Power-
MESH
IGBTs, with outstanding performances.
The suffix "M" identifies a family optimized to
achieve very low saturation on voltage for frequency
applications <10 KHz.
APPLICATIONS
I
MOTOR CONTROL
I
WELDING EQUIPMENTS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CES
Collector-Emitter Voltage (V
GS
= 0)
V
ECR
Reverse Battery Protection
V
GE
Gate-Emitter Voltage
I
C
Collector Current (continuous) at T
C
= 25°C
I
C
Collector Current (continuous) at T
C
= 100°C
I
CM
( )
Collector Current (pulsed)
P
TOT
Total Dissipation at T
C
= 25°C
Derating Factor
T
stg
Storage Temperature
T
j
Max. Operating Junction Temperature
TYPE
V
CES
V
CE(sat)(25°C)
I
C
STGW50NB60M
600 V
< 1.9
V
50 A
Parameter
Value
Unit
600
V
20
V
±20
V
100
A
50
A
400
A
250
W
2
W/°C
–65 to 150
°C
150
°C
TO-247
1
2
3
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGY50NB60 N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT
STGY50NB60HD N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT
STH4N90 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STH4N90FI N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STH51002Z 1300nm Laser in Coaxial TO-Package
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGW50NC60W 功能描述:IGBT 晶體管 Ultra fast series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGW60H60DLFB 功能描述:IGBT 600V 80A 375W TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2V @ 15V，60A 功率 - 最大值:375W 開(kāi)關(guān)能量:626μJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:306nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:-/160ns 測(cè)試條件:400V，60A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
STGW60H65DF 功能描述:IGBT 晶體管 60 A 650V Field Stop Trench Gate IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGW60H65DFB 功能描述:IGBT 650V 80A 375W TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2V @ 15V，60A 功率 - 最大值:375W 開(kāi)關(guān)能量:1.09mJ（開(kāi)），626μJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:306nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:51ns/160ns 測(cè)試條件:400V，60A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:60ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
STGW60H65DRF 功能描述:IGBT 晶體管 60A 650V Field Stop Trench Gate IBGT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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