型號: | STH15N50 |
英文描述: | DIO SIDACTOR 150V DO-214A |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 500V五(巴西)直| 15A條(?。﹟至218 |
文件頁數(shù): | 6/7頁 |
文件大小: | 336K |
代理商: | STH15N50 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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STH15N50FI | Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:DO-214AA; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:140V; Capacitance:80pF; Holding Current:50mA; Leakage Current:5uA; Mounting Type:Through Hole; On-State Saturation Voltage:4V |
STW15N50 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-247 |
STH75N06 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-218 |
STH75N06FI | Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:TO-92; Current, It av:2.2A; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Capacitance:30pF; Current Rating:2.2A; Forward Voltage:190V; Holding Current:150mA |
STW75N06 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-247 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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STH15N50FI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 9.3A I(D) | TO-218VAR |
STH15NA50 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
STH15NA50FI | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
STH15NB50 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500V - 0.33ohm - 14.6A - T0-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET |
STH15NB50FI | 功能描述:MOSFET N-CH500V 10.5A ISOWATT218 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:PowerMESH™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |