參數(shù)資料
型號(hào): STI2000
英文描述: TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 40V V(BR)CEO | TO-92
中文描述: 晶體管|晶體管|達(dá)林頓|叩| 40V的五(巴西)總裁|到92
文件頁數(shù): 1/1頁
文件大小: 161K
代理商: STI2000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STI2001 TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-92
STI4003D DIODE TVS 15V 600W BI-DIR
STI4010 DIODE TVS 20V 600W BI-DIR
STI4025 DIODE TVS 24V 600W BI-DIR
STI4026 DIODE TVS 27V 600W BI-DIR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STI2001 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-92
STI2002 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | TO-92
STI2003 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-92
STI2006 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-66
STI200N6F3 功能描述:MOSFET N-channel 60 V 120 A TO-22 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube