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參數(shù)資料
| 型號： | STI2006 |
| 英文描述： | Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:DO-214AA; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:320V; Capacitance:60pF; Holding Current:50mA; Leakage Current:5uA; Mounting Type:Through Hole; On-State Saturation Voltage:4V |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管| npn型| 200伏五（巴西）總裁| 1A條一（c）|至66 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 162K |
| 代理商： | STI2006 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STI2506 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-66 |
| STI3006 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-66 |
| STI3007 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-66 |
| STI5006 | DIODE TVS 16V 600W BIDIR 5% SMB |
| STI5007 | DIODE TVS 170V 600W BIDIR 5% SMB |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STI200N6F3 | 功能描述:MOSFET N-channel 60 V 120 A TO-22 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STI205 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-37VAR |
| STI20N65M5 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 650V 18A I2PAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) V |
| STI20NM65N | 功能描述:MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STI21N65M5 | 功能描述:MOSFET N-channel 650 V, 0.1 50 Ohm, 17 A MDmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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