型號(hào): | STP2002QFP |
英文描述: | I/O Controller |
中文描述: | I / O控制器 |
文件頁(yè)數(shù): | 4/20頁(yè) |
文件大?。?/td> | 221K |
代理商: | STP2002QFP |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
STP2003PQFP | Low Current Operation at 250 ,Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
STP2003QFP | Low Current Operation at 250 ,Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
STP2011PGA50 | Low Current Operation at 250 ,Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
STP2012PQFP | Low Current Operation at 250 ,Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
STP2013PGA-50 | Low Current Operation at 250 ,Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
STP2003PQFP | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Peripheral IC |
STP2003QFP | 制造商:SUN 功能描述: |
STP200N3LL | 功能描述:N-CHANNEL 30 V, 2 MOHM TYP., 120 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2.4 毫歐 @ 60A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):53nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):5200pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 |
STP200N4F3 | 功能描述:MOSFET N-Ch 40Volt 120Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STP200N6F3 | 功能描述:MOSFET N-channel 60 V 120 A PAK TO-22 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |