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參數(shù)資料
| 型號： | STP2003QFP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 中文描述： | 250 的低電流運算，低反向泄露，低噪聲穩(wěn)壓二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 10/20頁 |
| 文件大小： | 221K |
| 代理商： | STP2003QFP |
10
STP2000QFP
32-bit SBus Master I/O Controller
Master I/O
July 1997
1. This is the only violation of SBus Specification B.0. No known implementation to date provides less than 1.0 ns hold time on these
signals.
AC Characteristics: SBus Timing
Signal #
Parameter
Conditions
Min
Max
Units
1
Clock Period
40.0
60.0
ns
2
Clock High
17.0
–
ns
3
Clock Low
17.0
–
ns
4
Hold wrt CLK Rising
0.0
–
ns
5
Setup to CLK Rising
Hold wrt CLK Rising
[1]
15.0
–
ns
6
1.0
–
ns
7
Hold wrt CLK Rising
0.0
–
ns
8
CLK Rising to Output Valid
160 pF load
2.5
22.5
ns
9
CLK Rising to Output Invalid
160 pF load
2.5
20.0
ns
AC Characteristics: Parallel Port Timing
Signal #
Parameter
Conditions
Min
Max
Units
10
CLK to P_D_STRB
75 pF
–
35
ns
11
P_D_STRB nominal width
DSW=0,1,2,3
3
–
SB_CLK periods
12
P_DATA valid to P_D_STRB assert
75 pF
5
–
ns
13
P_DATA valid (nominal)
DSS=0, DSN=3
6
–
SB_CLK periods
14
P_ACK, P_BSY setup to CLK
5
–
ns
15
P_ACK, P_BSY input pulse width
3
–
SB_CLK periods
16
P_D_STRB setup to CLK
5
–
ns
17
P_D_STRB input pulse width
3
–
SB_CLK periods
18
P_DATA setup to P_D_STRB
36
–
ns
19
P_DATA input hold from P_D_STRB
4
–
SB_CLK periods
20
P_D_STRB to P_BSY valid
75 pF
2
3 + 26 ns
SB_CLK periods
21
CLK to P_ACK, P_BSY
75 pF
–
40
ns
22
P_ACK, P_BSY nominal pulse width
75 pF
3
–
SB_CLK periods
23
CLK to output
75 pF
–
35
ns
This Material Copyrighted by Its Respective Manufacturer
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| STP200N3LL | 功能描述:N-CHANNEL 30 V, 2 MOHM TYP., 120 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:53nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5200pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 |
| STP200N4F3 | 功能描述:MOSFET N-Ch 40Volt 120Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP200N6F3 | 功能描述:MOSFET N-channel 60 V 120 A PAK TO-22 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP200NF03 | 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 120 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP200NF04 | 功能描述:MOSFET N-Ch 40 Volt 120 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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