參數(shù)資料
型號(hào): STP20N10FI
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: Low Current Operation at 250 ,Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
中文描述: 250 的低電流運(yùn)算,低反向泄露,低噪聲穩(wěn)壓二極管
文件頁(yè)數(shù): 16/20頁(yè)
文件大?。?/td> 221K
代理商: STP20N10FI
16
STP2000QFP
32-bit SBus Master I/O Controller
Master I/O
July 1997
Figure 12. SCSI Synchronous Input Timing
SCSI_REQ (in)
SCSI_ACK (in)
SCSI_D (in)
42
43
44
45
46
47
Figure 13. SCSI Synchronous Output Timing
SCSI_REQ (out)
SCSI_ACK (out)
SCSI_D (in)
38
39
40
41
40
41
SCSI_D (out)
This Material Copyrighted by Its Respective Manufacturer
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP20N10 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP20NE06 N - CHANNEL 60V - 0.06 ohm - 20A TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET
STP20N06 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP20NE10 N - CHANNEL 100V - 0.07ohm - 20A - TO-220 STripFET MOSFET
STP20NM60FP N-CHANNEL 600V - 0.25ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh?Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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STP20N10LFI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
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STP20N65M5 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP20N90K5 功能描述:N-CHANNEL 900 V, 0.24 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):20A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):40nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):1500pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):250W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):250 毫歐 @ 10A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50