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參數(shù)資料
| 型號： | STP20N10FI |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 中文描述： | 250 的低電流運(yùn)算，低反向泄露，低噪聲穩(wěn)壓二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 20/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 221K |
| 代理商： | STP20N10FI |
20
STP2000QFP
32-bit SBus Master I/O Controller
Master I/O
July 1997
Document Part Number: STP2000
O
RDERING
I
NFORMATION
Part Number
Description
STP2000QFP
160-Pin Plastic Quad Flat Package (PQFP)
This Material Copyrighted by Its Respective Manufacturer
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STP20N10 | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| STP20NE06 | N - CHANNEL 60V - 0.06 ohm - 20A TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET |
| STP20N06 | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| STP20NE10 | N - CHANNEL 100V - 0.07ohm - 20A - TO-220 STripFET MOSFET |
| STP20NM60FP | N-CHANNEL 600V - 0.25ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh?Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STP20N10L | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR |
| STP20N10LFI | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR |
| STP20N20 | 功能描述:MOSFET N-Ch 200 Volt 18 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP20N65M5 | 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP20N90K5 | 功能描述:N-CHANNEL 900 V, 0.24 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:40nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1500pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:250W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:250 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 |
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