型號: | STP36NF06L |
英文描述: | N-CHANNEL 60V - 0.032 OHM - 30A D2PAK/TO-220 STRIPFET II POWER MOSFET |
中文描述: | N溝道60V的- 0.032歐姆- 30A條D2PAK/TO-220 STRIPFET二功率MOSFET |
文件頁數(shù): | 7/8頁 |
文件大?。?/td> | 205K |
代理商: | STP36NF06L |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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STB36NF02LT4 | THERMISTOR PTC 6V 1.10A RESETABL |
STB36NF06L | FUSE,1.5A,RESETTABLE,SMDC150 |
STP3N100XI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 1.6A I(D) | SOT-186VAR |
STP3N50XI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 1.7A I(D) | SOT-186VAR |
STP3N60FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | TO-220VAR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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STP38N06 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ”ULTRA HIGH DENSITY” POWER MOS TRANSISTOR |
STP38N65M5 | 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STP3HNK90Z | 功能描述:MOSFET N-Ch 900 Volt 3.0Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STP3LN62K3 | 功能描述:MOSFET N-Ch 620V 2.5 Ohm 2.5A SuperMESH3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STP3LN80K5 | 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 2A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):2.63nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):102pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):45W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.25 歐姆 @ 1A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:1,000 |