參數(shù)資料
型號： STP80N03L-06
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode "Ultra High Density" Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強模式高密度功率ＭＯＳ晶體管)
中文描述： N溝道增強模式“超高密度”功率MOS晶體管（不適用溝道增強模式高密度功率馬鞍山晶體管）
文件頁數(shù)： 3/5頁
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代理商： STP80N03L-06
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
td(on)
tr
Turn-on Time
Rise Time
VDD = V
ID = A
RG =
VGS = V
(see test circuit, figure 3)
ns
(di/dt)on
Turn-on Current Slope
VDD = V
ID = A
RG =
VGS = V
(see test circuit, figure 5)
A/
s
Qg
Qgs
Qgd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
VDD = V
ID = A
VGS = V
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
tr(Voff)
tf
tc
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
VDD = V
ID = A
RG =
VGS = V
(see test circuit, figure 5)
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ISD
ISDM(
)
Source-drain Current
(pulsed)
80
320
A
VSD (
)
Forward On Voltage
ISD = A
VGS = 0
1.5
V
trr
Qrr
IRRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
ISD = A
di/dt = A/
s
VDD = V
Tj =
oC
(see test circuit, figure 5)
ns
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300 s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse width limited by safe operating area
(1) ISD
≤ 60 A, di/dt ≤ 200 A/s, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX
STP80N03L-06
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP80NE03L-06 N-Channel Enhancement Mode "SINGLE FEATURE SIZETM " Power MOSFET(N溝道增強模式功率MOSFET)
STPF1020CTN 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
STPR810DB 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
STPRA1040CT 5 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
STPS40L45CWPBF 20 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP80N05-09 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ULTRA HIGH DENSITY POWER MOS TRANSISTOR
STP80N06-10 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ULTRA HIGH DENSITY POWER MOS TRANSISTOR
STP80N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3100pF @ 50V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STP80N20M5 功能描述:MOSFET N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP80N6F6 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:110A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.8 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:122nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7480pF @ 25V 功率 - 最大值:120W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
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