參數(shù)資料
型號： STP80N03L-06
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode "Ultra High Density" Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強模式高密度功率ＭＯＳ晶體管)
中文描述： N溝道增強模式“超高密度”功率MOS晶體管（不適用溝道增強模式高密度功率馬鞍山晶體管）
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 77K
代理商： STP80N03L-06
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
4.40
4.60
0.173
0.181
C
1.23
1.32
0.048
0.051
D
2.40
2.72
0.094
0.107
D1
1.27
0.050
E
0.49
0.70
0.019
0.027
F
0.61
0.88
0.024
0.034
F1
1.14
1.70
0.044
0.067
F2
1.14
1.70
0.044
0.067
G
4.95
5.15
0.194
0.203
G1
2.4
2.7
0.094
0.106
H2
10.0
10.40
0.393
0.409
L2
16.4
0.645
L4
13.0
14.0
0.511
0.551
L5
2.65
2.95
0.104
0.116
L6
15.25
15.75
0.600
0.620
L7
6.2
6.6
0.244
0.260
L9
3.5
3.93
0.137
0.154
DIA.
3.75
3.85
0.147
0.151
L6
A
C
D
E
D1
F
G
L7
L2
Dia.
F1
L5
L4
H2
L9
F2
G1
TO-220 MECHANICAL DATA
P011C
STP80N03L-06
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP80NE03L-06 N-Channel Enhancement Mode "SINGLE FEATURE SIZETM " Power MOSFET(N溝道增強模式功率MOSFET)
STPF1020CTN 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
STPR810DB 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
STPRA1040CT 5 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
STPS40L45CWPBF 20 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP80N05-09 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ULTRA HIGH DENSITY POWER MOS TRANSISTOR
STP80N06-10 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ULTRA HIGH DENSITY POWER MOS TRANSISTOR
STP80N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3100pF @ 50V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STP80N20M5 功能描述:MOSFET N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP80N6F6 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:110A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.8 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:122nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7480pF @ 25V 功率 - 最大值:120W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
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