參數(shù)資料
型號(hào)： STP80NF55L-08
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 55V - 0.0065ohm - 80A - TO-220/D2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
中文描述： N溝道55V的- 0.0065ohm - 80A條- TO-220/D2PAK STripFET⑩二功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 83K
代理商： STP80NF55L-08
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Delay Time
Rise Time
V
DD
= 27 V
R
G
= 4.7
(Resistive Load, see fig. 3)
V
DD
= 44 V I
D
= 80 A V
GS
= 5 V
I
D
= 40 A
V
GS
= 4.5 V
75
300
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
97
25
46
100
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(off)
t
f
Turn-off Delay Time
Fall Time
V
DD
= 27 V
R
G
= 4.7
(Resistive Load, see fig. 3)
Vclamp = 44 V
R
G
= 4.7
(Inductive Load, see fig. 5)
I
D
= 40 A
V
GS
= 4.5 V
210
160
ns
ns
t
d(off)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
I
D
= 80 A
V
GS
= 4.5 V
90
230
350
ns
ns
ns
SOURCE DRAINDIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
80
320
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 80 A
I
SD
= 80 A
V
DD
= 25 V
(see test circuit, fig. 5)
V
GS
= 0
1.5
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
o
C
75
190
5.1
ns
nC
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse width limited by safe operating area
SafeOperating Area
Thermal Impedance
STP80NF55L-06
3/8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STPC0310BTC3 PC Compatible Embeded Microprocessor
STPCCONSUMER CONNECTOR ACCESSORY
STPC0310BTI3 PC Compatible Embeded Microprocessor
STPC0366BTC3 PC Compatible Embeded Microprocessor
STPC0366BTI3 PC Compatible Embeded Microprocessor
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參數(shù)描述
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