參數(shù)資料
型號： STS9NF30L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 30V - 0.015 ohm - 9A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
中文描述： N溝道30V的- 0.015歐姆-第9A型SO - 8低柵極電荷STripFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 45K
代理商： STS9NF30L
STS9NF30L
N-CHANNEL 30V - 0.015
- 9A SO-8
LOW GATE CHARGE STripFET
POWER MOSFET
PRELIMINARY DATA
I
TYPICAL R
DS(on)
= 0.018
@ 4.5V
I
TYPICAL Q
g
= 9 nC @ 4.5V
I
OPTIMAL R
DS(on)
x Q
g
TRADE-OFF
I
CONDUCTION LOSSESREDUCED
I
SWITCHING LOSSESREDUCED
DESCRIPTION
This application specific Power Mosfet is the third
generation of STMicroelectronics unique ”Single
Feature Size
” strip-based process. The resul-
ting transistor shows the best trade-off between
on-resistance and gate charge. When used as
high and low side in buck regulators, it gives the
best performancein termsof both conductionand
switching losses. This is extremely important for
motherboards where fast switching and high effi-
ciency are of paramountimportance.
APPLICATIONS
I
SPECIFICALLYDESIGNED AND
OPTIMISEDFOR HIGH EFFICIENCYCPU
CORE DC/DC CONVERTERS FOR MOBILE
PCs
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
May 2000
SO-8
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
30
V
V
DGR
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
30
V
V
GS
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at Tc = 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
±
20
V
I
D
9
5.6
A
A
I
DM
(
)
Drain Current (pulsed)
36
A
P
tot
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
2.5
W
(
) Pulse width limited by safe operating area
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
< 0.020
I
D
STS9NF30L
30 V
9 A
1/6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STS9NF3LL N-CHANNEL 30V - 0.016 ohm - 9A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET
STT4NF30L N - CHANNEL 30V - 0.055ohm - 4A - TSOP-6 STripFET MOSFET
STT4PF20V P-CHANNEL 20V - 0.090 W - 3A SOT23-6L 2.7V-DRIVE STripFET?? II POWER MOSFET
STT818B HIGH GAIN LOW VOLTAGE PNP POWER TRANSISTOR
STTA106 TURBOSWITCH a ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STS9NF30L_02 制造商:ANALOGICTECH 制造商全稱:Advanced Analogic Technologies 功能描述:N-CHANNEL 30V - 0.015 W - 9A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFETa?￠ II POWER MOSFET
STS9NF3LL 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STS9NH3LL 功能描述:MOSFET NCh 30V 0.018 Ohm 9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STS9NH3LL_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 30 V - 0.018 Ω - 9 A - SO-8 low gate charge STripFET? III Power MOSFET
STS9P2UH7 功能描述:MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:22.5 毫歐 @ 4.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:22nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2390pF @ 16V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*