參數(shù)資料
型號(hào)： STS9NF30L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 30V - 0.015 ohm - 9A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
中文描述： N溝道30V的- 0.015歐姆-第9A型SO - 8低柵極電荷STripFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 45K
代理商： STS9NF30L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Delay Time
Rise Time
V
DD
= 15 V
R
G
= 4.7
(Resistive Load, see fig.3)
V
DD
= 24 V
I
D
= 4.5 A
V
GS
= 4.5 V
15
78
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
I
D
= 9 A
V
GS
= 4.5 V
9
3
5
12
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(off)
t
f
Turn-off Delay Time
Fall Time
V
DD
= 15 V
R
G
= 4.7
(Resistive Load, see fig.3)
I
D
= 4.5 A
V
GS
= 4.5 V
38
23
ns
ns
SOURCE DRAINDIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
9
36
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 9 A
V
GS
= 0
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
o
C
1.5
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 9 A
V
r
= 15 V
(see test circuit, fig.5)
50
80
2
ns
nC
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse width limited by safe operating area
STS9NF30L
3/6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STS9NF3LL N-CHANNEL 30V - 0.016 ohm - 9A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET
STT4NF30L N - CHANNEL 30V - 0.055ohm - 4A - TSOP-6 STripFET MOSFET
STT4PF20V P-CHANNEL 20V - 0.090 W - 3A SOT23-6L 2.7V-DRIVE STripFET?? II POWER MOSFET
STT818B HIGH GAIN LOW VOLTAGE PNP POWER TRANSISTOR
STTA106 TURBOSWITCH a ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STS9NF30L_02 制造商:ANALOGICTECH 制造商全稱:Advanced Analogic Technologies 功能描述:N-CHANNEL 30V - 0.015 W - 9A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFETa?￠ II POWER MOSFET
STS9NF3LL 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STS9NH3LL 功能描述:MOSFET NCh 30V 0.018 Ohm 9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STS9NH3LL_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 30 V - 0.018 Ω - 9 A - SO-8 low gate charge STripFET? III Power MOSFET
STS9P2UH7 功能描述:MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:22.5 毫歐 @ 4.5A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:22nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2390pF @ 16V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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