參數(shù)資料
型號(hào)： STT4NF30L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N - CHANNEL 30V - 0.055ohm - 4A - TSOP-6 STripFET MOSFET
中文描述： ? -通道30V的- 0.055ohm - 4A條-的TSOP - 6 STripFET MOSFET的
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 37K
代理商： STT4NF30L
THERMAL DATA
R
thj-amb
T
J
T
stg
(*) Mounted on FR-4 board (t
≤
5 sec)
(*)Thermal Resistance Junction-ambient
Maximum Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Max
62.5
150
-55 to 150
o
C/W
o
C
o
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwisespecified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 0
30
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating
V
GS
=
±
20 V
T
c
= 125
o
C
1
10
μ
A
μ
A
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
±
100
nA
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
R
DS(on)
Gate Threshold Voltage V
DS
= V
GS
Static Drain-source On
Resistance
I
D
= 250
μ
A
I
D
= 2 A
1
1.7
2.5
V
A
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V I
D
= 2 A
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
0.055
0.06
0.065
0.09
I
D(on)
On State Drain Current
4
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
(
)
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
=6 A
6
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V
f = 1 MHz
V
GS
= 0
420
62
20
550
80
30
pF
pF
pF
STT4NF30L
2/5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STT4PF20V P-CHANNEL 20V - 0.090 W - 3A SOT23-6L 2.7V-DRIVE STripFET?? II POWER MOSFET
STT818B HIGH GAIN LOW VOLTAGE PNP POWER TRANSISTOR
STTA106 TURBOSWITCH a ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE
STTA106RL TURBOSWITCH a ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE
STTA106U TURBOSWITCH a ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STT4P3LLH6 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? H6 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:56 毫歐 @ 2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:639pF @ 25V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STT4PF20V 功能描述:MOSFET P-Ch 20 Volt 3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STT500 制造商:SIRECTIFIER 制造商全稱:Sirectifier Semiconductors 功能描述:Thyristor-Thyristor Modules
STT500GK 制造商:SIRECT 制造商全稱:Sirectifier Global Corp. 功能描述:Thyristor-Thyristor Modules
STT500GK08 制造商:SIRECTIFIER 制造商全稱:Sirectifier Semiconductors 功能描述:晶閘管（可控硅）Thyristors (SCRs)，晶閘管/晶閘管模塊Thyristor-Thyristor Modules。
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