參數(shù)資料
型號(hào)： STT4NF30L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N - CHANNEL 30V - 0.055ohm - 4A - TSOP-6 STripFET MOSFET
中文描述： ? -通道30V的- 0.055ohm - 4A條-的TSOP - 6 STripFET MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 37K
代理商： STT4NF30L
Fig. 1: Unclamped InductiveLoad Test Circuit
Fig. 3: Switching Times Test Circuits For
ResistiveLoad
Fig. 2: Unclamped InductiveWaveform
Fig. 4: Gate Chargetest Circuit
Fig. 5: TestCircuit For InductiveLoad Switching
And Diode Recovery Times
STT4NF30L
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STT4PF20V P-CHANNEL 20V - 0.090 W - 3A SOT23-6L 2.7V-DRIVE STripFET?? II POWER MOSFET
STT818B HIGH GAIN LOW VOLTAGE PNP POWER TRANSISTOR
STTA106 TURBOSWITCH a ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE
STTA106RL TURBOSWITCH a ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE
STTA106U TURBOSWITCH a ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE
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參數(shù)描述
STT4P3LLH6 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? H6 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:56 毫歐 @ 2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:639pF @ 25V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STT4PF20V 功能描述:MOSFET P-Ch 20 Volt 3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STT500 制造商:SIRECTIFIER 制造商全稱(chēng):Sirectifier Semiconductors 功能描述:Thyristor-Thyristor Modules
STT500GK 制造商:SIRECT 制造商全稱(chēng):Sirectifier Global Corp. 功能描述:Thyristor-Thyristor Modules
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