參數(shù)資料
型號： STTH12002TV1
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 整流器
英文描述： 60 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： ISOTOP-4
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 92K
代理商： STTH12002TV1
Obsolete
Product(s)
- Obsolete
Product(s)
STTH12002TV
2/5
Symbol
Parameter
Tests conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
IR*
Reverse leakage
current
Tj = 25°C
VR =VRRM
50
A
Tj = 125°C
50
500
VF**
Forward voltage drop
Tj = 25°C
IF =60 A
1.05
V
Tj = 25°C
IF = 120 A
1.15
Tj = 150°C
IF =60 A
0.73
0.82
Tj = 150°C
IF = 120 A
0.98
Pulse test: * tp = 5ms,
δ <2%
** tp = 380s,
δ <2%
To evaluate the maximum conduction losses use the following equation :
P = 0.66 x IF(AV) + 0.00266 IF
2
(RMS)
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Tests conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
trr
Reverse
recovery time
Tj = 25°C
IF =1A VR = 30V
dIF/dt = 200 A/s
35
43
ns
IRM
Reverse
recovery current
Tj = 125°C
IF =60A VR = 160V
dIF/dt = 200 A/s
10.4
13.5
A
tfr
Forward
recovery time
Tj = 25°C
IF =60A dIF/dt = 200 A/s
VFR = 1.1 x VFmax
560
ns
VFP
Forward
recovery voltage
Tj = 25°C
IF =60A dIF/dt = 200 A/s
2.5
V
DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Maximum
Unit
Rth (j-c)
Junction to case
Per diode
0.76
°C/W
Per device
0.43
Rth (j-c)
Coupling
0.1
°C/W
When the diodes 1 and 2 are used simultaneously:
Tj (diode1) = P(diode1) x Rth(j-c) (per diode) + P(diode2) x Rth(c)
THERMAL PARAMETERS
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