參數(shù)資料
型號(hào)： STTH12002TV1
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類(lèi)： 整流器
英文描述： 60 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： ISOTOP-4
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 92K
代理商： STTH12002TV1
Obsolete
Product(s)
- Obsolete
Product(s)
STTH12002TV
3/5
0
50
100
150
200
250
300
350
400
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
I(A)
M
T
δ=tp/T
tp
IM
P = 40W
P = 60W
P = 80W
δ
Fig. 1: Peak current versus duty cycle (per diode).
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
V
(V)
FM
I
(A)
FM
T =150°C
j
T =25°C
j
Fig. 2-1: Forward voltage drop versus forward
current (typical values, per diode).
0.1
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
Z/R
th(j-c)
Single pulse
t(s)
p
Fig. 3: Relative variation of thermal impedance
junction to case versus pulse duration.
100
1000
0
50
100
150
200
C(pF)
V (V)
R
F=1MHz
V
=30mV
T =25°C
OSC
RMS
j
Fig. 4: Junction capacitance versus reverse
voltage applied (typical values, per diode).
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
650
10
100
1000
Q (nC)
rr
dI /dt(A/s)
F
I =60A
F
V =160V
R
T =125°C
j
T =25°C
j
Fig. 5: Reverse recovery charges versus dIF/dt
(typical values, per diode).
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
I
(A)
FM
V
(V)
FM
T =150°C
j
T =25°C
j
Fig. 2-2: Forward voltage drop versus forward
current (maximum values, per diode).
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PDF描述
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STTH1210G-TR 12 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
STTH1210G 12 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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STTH12010TV 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:Ultrafast recovery - high voltage diode
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