參數(shù)資料
型號： STTH30L06P
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 整流器
英文描述： 30 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： PLASTIC PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 134K
代理商： STTH30L06P
STTH30L06
2/9
Table 3: Absolute Ratings (limiting values)
Table 4: Thermal Resistance
Table 5: Static Electrical Characteristics
Pulse test:
* tp = 5 ms,
δ < 2%
** tp = 380 s,
δ < 2%
To evaluate the conduction losses use the following equation: P = 0.95 x IF(AV) + 0.010 IF
2
(RMS)
Table 6: Dynamic Characteristics
Symbol
Parameter
Value
Unit
VRRM
Repetitive peak reverse voltage
600
V
IF(RMS) RMS forward voltage
50
A
IF(AV)
Average forward current
TO-220AC / TO-247
/ D2PAK / SOT-93
Tc = 125°C
δ = 0.5
30
A
DOP3I
Tc = 95°C
δ = 0.5
IFSM
Surge non repetitive forward current
tp = 10ms sinusoidal
160
A
Tstg
Storage temperature range
-65 to + 175
°C
Tj
Maximum operating junction temperature
175
°C
Symbol
Parameter
Value (max).
Unit
Rth(j-c)
Junction to case
TO-220AC / TO-247 / D2PAK / SOT-93
1.1
°C/W
DOP3I
1.7
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
IR *
Reverse leakage current Tj = 25°C
VR = VRRM
25
A
Tj = 150°C
80
800
VF **
Forward voltage drop
Tj = 25°C
IF = 30A
1.55
V
Tj = 150°C
1.0
1.25
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ Max.
Unit
trr
Reverse recovery
time
Tj = 25°C
IF = 0.5A Irr = 0.25A IR =1A
65
ns
IF = 1A dIF/dt = 50 A/s VR =30V
65
90
IRM
Reverse recovery
current
Tj = 125°C IF = 30A
VR = 400V
dIF/dt = 100 A/s
11.5
16
A
tfr
Forward recovery
time
Tj = 25°C
IF = 30A
dIF/dt = 100 A/s
VFR = 1.1 x VFmax
500
ns
VFP
Forward recovery
voltage
Tj = 25°C
IF = 30A
dIF/dt = 100 A/s
VFR = 1.1 x VFmax
2.5
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STTH30R06P 30 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
STTH3R02Q 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15
STTH3R06-RL 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
STTH4R02B 4 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
STTH4R02U 4 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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參數(shù)描述
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STTH30R03 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:HIGH FREQUENCY SECONDARY RECTIFIER
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