參數(shù)資料
型號： STTH30L06P
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 整流器
英文描述： 30 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： PLASTIC PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大小： 134K
代理商： STTH30L06P
STTH30L06
4/9
Figure 7: Reverse recovery softness factor
versus dIF/dt (typical values)
Figure 8: Relative variations of dynamic
parameters versus junction temperature
Figure 9: Transient peak forward voltage
versus dIF/dt (typical values)
Figure 10: Forward recovery time versus dIF/dt
(typical values)
Figure
11:
Junction
capacitance
versus
reverse voltage applied (typical values)
Figure 12: Thermal resistance junction to
ambient versus copper surface under tab
(epoxy FR4, eCU=35m) (D
2PAK)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
S factor
I< 2 x I
T =125°C
F
F(AV)
j
V =400V
R
dI /dt(A/s)
F
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
25
50
75
100
125
IRM
QRR
trr
S factor
T (°C)
j
I=I
Reference: T =125°C
FF(AV)
j
V =400V
R
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
V
(V)
FP
dI /dt(A/s)
F
I=I
T =125°C
F
F(AV)
j
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
0
100
200
300
400
500
t (ns)
fr
dI /dt(A/s)
F
I=I
T =125°C
F
F(AV)
j
V
=1.1 x V max.
FR
F
10
100
1000
1
10
100
1000
C(pF)
V (V)
R
F=1MHz
V
=30mV
T =25°C
OSC
RMS
j
R
(°C/W)
th(j-a)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
5
10
15
20
25
30
35
40
S
(cm)
CU
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STTH30R06P 30 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
STTH3R02Q 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15
STTH3R06-RL 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
STTH4R02B 4 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
STTH4R02U 4 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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參數(shù)描述
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STTH30R03 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:HIGH FREQUENCY SECONDARY RECTIFIER
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