參數(shù)資料
型號： STTH30R06P
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 整流器
英文描述： 30 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： PLASTIC PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 103K
代理商： STTH30R06P
STTH30R06
2/8
Table 4: Thermal Resistance
Table 5: Static Electrical Characteristics
Pulse test:
* tp = 5 ms,
δ < 2%
** tp = 380 s,
δ < 2%
To evaluate the conduction losses use the following equation: P = 1.07 x IF(AV) + 0.011 IF
2
(RMS)
Table 6: Dynamic Characteristics
Symbol
Parameter
Value (max).
Unit
Rth(j-c)
Junction to case
TO-220AC / DO-247/ SOD-93
1.1
°C/W
DOP3I
1.7
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
IR *
Reverse leakage current Tj = 25°C
VR = VRRM
25
A
Tj = 150°C
80
800
VF **
Forward voltage drop
Tj = 25°C
IF = 30A
1.85
V
Tj = 150°C
1.10
1.40
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ Max.
Unit
trr
Reverse recovery
time
Tj = 25°C
IF = 0.5A Irr = 0.25A IR =1A
50
ns
IF = 1A dIF/dt = 50 A/s VR =30V
50
70
IRM
Reverse recovery
current
Tj = 125°C IF = 30A
VR = 400V
dIF/dt = 100 A/s
811
A
tfr
Forward recovery
time
Tj = 25°C
IF = 30A
dIF/dt = 100 A/s
VFR = 1.1 x VFmax
500
ns
VFP
Forward recovery
voltage
Tj = 25°C
IF = 30A
dIF/dt = 100 A/s
VFR = 1.1 x VFmax
2.5
V
Figure 1: Conduction losses versus average
forward current
Figure 2: Forward voltage drop versus forward
current
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
0
5
10
15
20
25
30
35
P(W)
T
δ=tp/T
tp
I
(A)
F(AV)
δ = 1
δ = 0.05
δ = 0.1
δ = 0.2
δ = 0.5
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
2.8
3.0
I
(A)
FM
V
(V)
FM
T =150°C
(typical values)
j
T =25°C
(maximum values)
j
T =150°C
(maximum values)
j
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PDF描述
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