參數(shù)資料
型號： STTH30R06P
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 整流器
英文描述： 30 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： PLASTIC PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 103K
代理商： STTH30R06P
STTH30R06
3/8
Figure
3:
Relative
variation
of
thermal
impedance junction to case versus pulse
duration
Figure 4: Peak reverse recovery current versus
dIF/dt (typical values)
Figure 5: Reverse recovery time versus dIF/dt
(typical values)
Figure 6: Reverse recovery charges versus
dIF/dt (typical values)
Figure 7: Softness factor versus dIF/dt (typical
values)
Figure 8: Relative variations of dynamic
parameters versus junction temperature
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
Z/R
th(j-c)
t (s)
p
Single pulse
0
5
10
15
20
25
30
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
I
(A)
RM
dI /dt(A/s)
F
I =2 x I
FF(AV)
I=I
FF(AV)
I =0.5 x I
FF(AV)
I =0.25 x I
FF(AV)
V =400V
T =125°C
R
j
0
50
100
150
200
0
200
400
600
800
1000
t (ns)
rr
dI /dt(A/s)
F
I=I
F
F(AV)
I =0.5 x I
F
F(AV)
V =400V
T =125°C
R
j
I =2 x I
F
F(AV)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
200
400
600
800
1000
Q (C)
rr
I =2 x I
F
F(AV)
I=I
FF(AV)
I =0.5 x I
FF(AV)
V =400V
T =125°C
R
j
dI /dt(A/s)
F
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
S factor
I2 x I
T =125°C
FF(AV)
j
≤
V =400V
R
dI /dt(A/s)
F
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
25
50
75
100
125
IRM
QRR
S factor
T (°C)
j
I=I
Reference: T =125°C
FF(AV)
j
V =400V
R
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PDF描述
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