參數(shù)資料
型號(hào)： SUM85N03-08P
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
中文描述： 250 的低電流運(yùn)算，低反向泄露，低噪聲穩(wěn)壓二極管
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
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代理商： SUM85N03-08P
SUM85N03-06P
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 71903
S-20921
—
Rev. A, 01-Jul-02
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
–
50
–
25
0
25
50
75
100
125
150
175
On-Resistance vs. Junction Temperature
Source-Drain Diode Forward Voltage
T
J
–
Junction Temperature ( C)
V
SD
–
Source-to-Drain Voltage (V)
–
I
S
100
10
1
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
GS
= 10 V
I
D
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
(
–
r
D
)
0
30
32
34
36
38
40
–
50
–
25
0
25
50
75
100
125
150
175
Drain-Source Voltage Breakdown
vs. Junction Temperature
T
J
–
Junction Temperature ( C)
V
(
(
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PDF描述
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參數(shù)描述
SUM85N03-08P-E3 功能描述:MOSFET 30V 85A 100W 7.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUM85N15-19 功能描述:MOSFET 150V 85A 375W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUM85N15-19 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N D2-PAK
SUM85N15-19-E3 功能描述:MOSFET 150V 85A 375W 19mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUM865070 制造商:CELDUC 制造商全稱:celduc-relais 功能描述:Power Solid State Contactor
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