參數(shù)資料
型號： SUP40N06-25L
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 60-V (D-S), 175 Degrees Celcious MOSFET, Logic Level
中文描述： N溝道60五（副），175度，Celcious MOSFET的邏輯電平
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 62K
代理商： SUP40N06-25L
SUP/SUB40N06-25L
Vishay Siliconix
Document Number: 70288
S-57253—Rev. C, 24-Feb-98
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-1
N-Channel 60-V (D-S), 175 C MOSFET, Logic Level
V
(BR)DSS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
60
0.022 @ V
GS
= 10 V
40
0.025 @ V
GS
= 4.5 V
40
D
G
S
N-Channel MOSFET
SUP40N06-25L
SUB40N06-25L
DRAIN connected to TAB
TO-220AB
Top View
G D S
TO-263
S
G
Top View
D
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
V
GS
60
V
Gate-Source Voltage
20
Continuous Drain Current
(T
J
= 175 C)
T
C
= 25 C
T
C
= 100 C
I
D
40
A
25
Pulsed Drain Current
I
DM
I
AR
E
AR
100
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
a
40
L = 0.1 mH
80
90
c
mJ
Power Dissipation
T
C
= 25 C (TO-220AB and TO-263)
T
A
= 25 C (TO-263)
c
P
D
W
3.7
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 175
C
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Junction-to-Ambient
PCB Mount (TO-263)
c
R
thJA
40
C/W
Free Air (TO-220AB)
80
Junction-to-Case
R
thJC
1.6
Notes:
a.
b.
c.
Duty cycle
See SOA curve for voltage derating.
Surface Mounted on FR4 Board, t
1%.
10 sec.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SUB45N03-13L N-Channel 30-V (D-S), 175C MOSFET
SUB65P06-20 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
SUP65P06-20 P-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET
SUB75N05-06A N-CHANNEL 50-V (D-S), 175 MOSFET
SUP75N05-06A N-CHANNEL 50-V (D-S), 175 MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SUP40N06-25L-E3 功能描述:MOSFET 60V 40A 90W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUP40N10-30 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET
SUP40N10-30-E3 功能描述:MOSFET 100V 40A 107W 30mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUP40N10-30-GE3 功能描述:MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:TrenchFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SUP40N10-35 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 105-V (D-S) 175C MOSFET
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