參數(shù)資料
型號(hào)： SUP40N06-25L
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 60-V (D-S), 175 Degrees Celcious MOSFET, Logic Level
中文描述： N溝道60五（副），175度，Celcious MOSFET的邏輯電平
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 62K
代理商： SUP40N06-25L
SUP/SUB40N06-25L
Vishay Siliconix
Document Number: 70288
S-57253—Rev. C, 24-Feb-98
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-3
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Capacitance
Gate Charge
Transconductance
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
–
I
D
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
D
–
–
r
D
Q
g
– Total Gate Charge (nC)
I
D
– Drain Current (A)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
–
g
f
0
20
40
60
80
100
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
50
0
10
20
30
40
50
60
70
0
10
20
30
40
50
60
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0
10
20
30
40
50
60
0
15
30
45
60
0
1
2
3
4
5
25 C
–55 C
4 V
T
C
= 125 C
V
DS
= 30 V
I
D
= 40 A
V
GS
= 10, 9, 8, 7 V
5 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
C
rss
T
C
= –55 C
25 C
125 C
3 V
6 V
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
0
15
30
45
60
C
oss
C
iss
I
D
– Drain Current (A)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SUB45N03-13L N-Channel 30-V (D-S), 175C MOSFET
SUB65P06-20 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
SUP65P06-20 P-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET
SUB75N05-06A N-CHANNEL 50-V (D-S), 175 MOSFET
SUP75N05-06A N-CHANNEL 50-V (D-S), 175 MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SUP40N06-25L-E3 功能描述:MOSFET 60V 40A 90W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUP40N10-30 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET
SUP40N10-30-E3 功能描述:MOSFET 100V 40A 107W 30mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUP40N10-30-GE3 功能描述:MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:TrenchFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SUP40N10-35 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 105-V (D-S) 175C MOSFET
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