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IRF1104PBF IR分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
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  • 所 在 地: 廣東 深圳市 寶安區(qū)
  • 發(fā)布日期: 2017年08月31日
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類型分立半導(dǎo)體產(chǎn)品品牌IR
Digi-Key 零件編號 IRF1104PBF-ND
現(xiàn)有數(shù)量 2,283 
可立即發(fā)貨 
制造商
Infineon Technologies
制造商零件編號
IRF1104PBF
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
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零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 100A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 93nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 2900pF @ 25V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 170W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 9 毫歐 @ 60A,10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-220AB
封裝/外殼 TO-220-3
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