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存儲器MT29E1T08CUCCBH8-6:C 閃存
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  • 發(fā)布日期： 2018年04月24日
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類型集成電路（IC）  
MT29E1T08CUCCBH8-6:C介紹：
類別 集成電路（IC）
存儲器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
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零件狀態(tài) 在售
存儲器類型 非易失
存儲器格式 閃存
技術 FLASH - NAND
存儲容量 1Tb （128G x 8）
時鐘頻率 167MHz
寫周期時間 - 字，頁 -
存儲器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 2.7 V ~ 3.6 V
工作溫度 0°C ~ 70°C（TA）



存儲器（Memory）是現代信息技術中用于保存信息的記憶設備。其概念很廣，有很多層次，在數字系統(tǒng)中，只要能保存二進制數據的都可以是存儲器；在集成電路中，一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器，如RAM、FIFO等；在系統(tǒng)中，具有實物形式的存儲設備也叫存儲器，如內存條、TF卡等。
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