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IRF640NPBF原裝正品現(xiàn)貨發(fā)售
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  • 發(fā) 貨 期: 7 天內(nèi)發(fā)貨
  • 所 在 地: 北京 北京市轄區(qū) 朝陽區(qū)
  • 發(fā)布日期: 2019年06月27日
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型號IRF640NPBF廠家INFINEON
封裝TO-220-3  
標準包裝  50
包裝  管件 
零件狀態(tài)在售
類別

FET 類型N 溝道
技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)18A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值)150 毫歐 @ 11A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值)67nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)1160pF @ 25V
FET 功能-
功率耗散(最大值)150W(Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型通孔
供應商器件封裝TO-220AB
封裝/外殼TO-220-3
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