參數(shù)資料
型號(hào)： SZMMBZ5V6ALT1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制
英文描述： 24 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236
封裝： PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大?。?/td> 150K
代理商： SZMMBZ5V6ALT1
MMBZ5V6ALT1 Series
http://onsemi.com
4
TYPICAL CHARACTERISTICS
40
+ 50
18
Figure 1. Typical Breakdown Voltage
versus Temperature
(Upper curve for each voltage is bidirectional mode,
lower curve is unidirectional mode)
0
TEMPERATURE (°C)
+ 100
+ 150
15
12
9
6
3
0
40
+ 25
1000
Figure 2. Typical Leakage Current
versus Temperature
TEMPERATURE (°C)
+ 85
+ 125
100
10
1
0.1
0.01
BREAKDOWN
VOL
TAGE
(VOL
TS)
(V
BR
@
I T
)
I R
(nA)
Figure 3. Typical Capacitance versus Bias Voltage
(Upper curve for each voltage is unidirectional mode,
lower curve is bidirectional mode)
0
25
50
75
100
125
150
175
300
250
200
150
100
50
0
Figure 4. Typical Capacitance versus Bias Voltage
(Upper curve for each voltage is unidirectional mode,
lower curve is bidirectional mode)
TEMPERATURE (°C)
FR5 BOARD
ALUMINA SUBSTRATE
01
2
3
320
280
240
160
120
40
0
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
BIAS (V)
200
80
15 V
5.6 V
P
D
,POWER
DISSIP
ATION
(mW)
Figure 5. Steady State Power Derating Curve
01
2
3
60
40
30
10
0
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
BIAS (V)
50
20
33 V
27 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SZMMBZ15VALT1 40 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236
SZN6309C 2.4 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
SZN6309DSMS 2.4 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
SZN6309DS 2.4 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
SZN6309DTX 2.4 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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